据外媒报道,三星电子正在积极探索“铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)”作为下一代NAND闪存材料,希望这种新材料可以堆叠1000层以上的3D NAND,并实现pb级ssd。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。据三星电子高管预测,到2030年左右,其3D NAND的堆叠层数将超过1
详情据上海化工区官微消息,日前,贺利氏电化(上海)有限公司“电子化学品新建项目”奠基仪式于上海化工区举行。贺利氏电子化学材料事业部全球联席总裁Bernd Stenger表示,新项目的落地展示了贺利氏坚定的“在中国,为中国”战略,贺利氏看好中国集成电路行业的强大潜力和广阔前景,该项目旨在与中国半导体电子行业的共同成长,为中国的客户提供更好的产品和服务。据了解,贺利氏电子化学材料是贺利氏集团旗下事业部之一
详情亮点:-晶心科技与Arteris的合作旨在支持共同客户越来越多地采用RISC-V SoC。-专注于基于RISC-V的高性能/低功耗设计,涉及消费电子、通信、工业应用和AI等广泛市场。-此次合作展示了与领先的晶心RISC-V处理器IP和Arteris芯片互连IP的集成和优化解决方案。2024年 5月 21日 – Arteris,Inc.(纳斯达克股票代码:AIP)是一家领先的系统 IP 供应商,致力
详情据日媒报道,美光科技计划投入6000亿-8000亿日圆(约合人民币277-369亿元)在日本广岛县兴建新厂,用于生产DRAM芯片。这座新厂房将于2026年初动工,并安装极紫外光刻(EUV)设备。消息称最快2027年底便可投入营运。报道称,此前,日本政府已批准多达1920亿日圆补贴,支持美光在广岛建厂并生产新一代芯片。去年,日本经济产业省曾表示,将利用这笔经费协助美光科技生产芯片,这些芯片将是推动生
详情据外媒报道,三星计划在今年6月召开的2024年晶圆代工论坛上,正式公布其1nm制程工艺计划,并计划将1nm的量产时间从原本的2027年提前到2026年。据了解,三星电子已于2022年6月在全球首次成功量产3nm晶圆代工,并计划在2024年开始量产其第二代3nm工艺。根据三星之前的路线图,2nm SF2 工艺将于2025年亮相,与 3nm SF3 工艺相比,同等情况下能效可提高25%,性能可提高12
详情来源:新华社我国科学家研制出世界首款类脑互补视觉芯片“天眸芯”图为“天眸芯”。(清华大学精密仪器系供图)清华大学类脑计算研究中心团队近日研制出了世界首款类脑互补视觉芯片“天眸芯”,相关成果5月30日作为封面文章,发表于国际学术期刊《自然》。论文通讯作者、清华大学精密仪器系教授施路平介绍,在开放世界中,智能系统不仅要应对庞大的数据量,还需要应对如驾驶场景中的突发危险、隧道口的剧烈光线变化和夜间强闪光
详情微导纳米5月29日发布晚间公告称,公司拟向不特定对象发行可转换公司债券拟募集资金总额不超过11.7亿元,扣除发行费用后募集资金净额将用于半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项目、研发实验室扩建项目、补充流动资金。公告显示,半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项目总投资额为6.7亿元,拟使用本次募集资金金额约6.43亿元。计划建设先进的生产车间,购置先进生产设备和量测设备,提升公司薄膜沉积设备的生产能力。本
详情200亿,这里崛起一个半导体超级独角兽来源:投资界近日,株洲中车时代半导体有限公司(简称“中车时代半导体”)宣布增资引入26位战略投资者及员工持股平台,金额为人民币 43.278亿元。据悉,参与本轮的意向投资者超过100家,竞争激烈,最终入局的包括了国家级基金、地方国资、半导体专业基金及券商系基金等阵容。根据增资比例计算,时代半导体估值超200亿,堪称湖南年度最大独角兽。而透过这只独角兽,一座湖南
详情来源:Karthik GopalSmartDV Technologies亚洲区总经理智权半导体科技(厦门)有限公司总经理中国集成电路设计业在最近十年取得了长足的发展,这不仅体现在行业中出现了一大批成功的芯片设计企业,他们不断努力使其产品达到了世界一流的水平,而且还体现在这些领先的中国企业已经非常善于建立完善的产业生态,产品进入了全球领先的、分布于各个行业的品牌厂商(OEM)和设计公司,同时还与各大
详情来源:TheJapanNewsRapidus 总裁 Atsuyoshi Koike(中)和 Raidus Design Solutions 总裁 Henri Richard(右)出席加州硅谷举行的开幕仪式。致力于生产尖端半导体的日本公司Rapidus Corp. 近日在加利福尼亚州硅谷开设了其第一家美国办事处,向谷歌和苹果等 IT 巨头销售其产品。Rapidus 在硅谷地区的圣克拉拉成立了子公司
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