2026年5月24日，西安奕斯伟材料科技股份有限公司武汉基地第三工厂项目主体结构顺利封顶。随着最后一方混凝土浇筑完成，这座国内12英寸硅片领域的重点工程正式进入设备安装与投产筹备阶段，为国产半导体硅材料产业升级注入新动能。该项目坐落于武汉东湖高新区未来城科学岛核心区域，总投资约125亿元，总建筑面积达19万平方米，是湖北省半导体硅材料领域的标杆工程，也是西安奕材落实产能扩张战略的核心布局。项目规划

2026年5月22日，沐曦集成电路（上海）股份有限公司与迈富时在上海正式签署战略合作协议。双方将聚焦算力基础设施、企业级智能体中台及行业场景落地三大方向深度协同，推动国产通用GPU算力与企业级AI智能体的融合应用，助力产业数智化升级。根据协议内容，沐曦股份将为迈富时提供全流程国产化的通用GPU算力支持，核心依托旗下曦云C600系列产品。该芯片从IP架构到供应链均实现自主可控，可承载大模型全参数训练

2026年5月23日，东芯半导体股份有限公司（简称“东芯股份”）发布官方公告，公司已于5月22日召开第三届董事会第十二次会议，审议通过发行境外上市股份（H股）并在香港联交所主板挂牌上市的相关议案，正式启动“A+H”两地上市进程。据上交所披露的公告，东芯股份本次H股上市核心目的明确，旨在进一步提升资本实力与综合竞争力，深化全球化战略布局，同时面向国际资

2026年5月25日，据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB） 技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并已验证存储单元正常工作特性，标志着三星在高端存储技术领域实现跨代式领先。传统3D NAND采用单次连续刻蚀堆叠工艺，受晶圆翘曲、层间对准误差等物理限制，难以突破500层门槛。三星创新的CMB技术，先独立制造两片450层3D NAND晶圆，再通过高精度

据韩媒ZDNET Korea援引业内消息人士报道，铠侠（KIOXIA）将第十代BiCS FLASH（BiCS10）3D NAND闪存量产计划推迟至2027年，较此前曝光的2026年计划延后一年；相关投资细节预计在2026年下半年进一步明朗。此举是铠侠在高层堆叠赛道的关键布局，将直接影响全球高端存储市场竞争格局。技术规格上，BiCS10实现全面跃升。产品采用332层存储单元堆叠架构，较现款BiCS8

在5月20日盛大开幕的第十三届汽车电子创新大会（AEIF 2026）上，依据AEPC汽车电子专业委员会正式发布的国产车规芯片健康指数评价标准——“艾思齐”（AsaChi）进行评定、备受行业瞩目的“2026国产车规芯片新品十强”榜单正式揭晓。作为国内首个聚焦车规芯片健康度的量化标准，“艾思齐”由 AEPC

近日，深圳——深耕存储行业的康盈半导体，正式迎来品牌发展全新起点。企业全新办公场地于前海人寿大厦正式启用，标志着公司进入发展的全新阶段。5月25日，康盈半导体举办乔迁仪式，一众核心客户、合作伙伴及全体员工齐聚现场，共贺乔迁之喜，共同见证康盈半导体稳步深耕、迭代进阶的重要时刻。乔迁焕新启幕，见证企业发展里程碑自2019年成立以来，康盈半导体始终坚守初心、稳扎稳打，在存储领域深

TrendForce集邦咨询: 美光Fab 6投产LPDDR4 / DDR4，不影响DDR4供给短缺格局Micron（美光）近日宣布，其美国弗吉尼亚州Fab 6开始投产1α nm制程的LPDDR4和DDR4，主要供应给汽车、国防航天、工业、网通及医疗等关键领域客户。根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，Fab 6扩产主要反映Micron内部产能配置调整，而非重启对消费性D

本届大会将汇聚全球整车、动力系统、产业链核心企业及科研院所技术专家，围绕动力系统关键技术与热点方向，通过全体大会、专题论坛、技术展示、新品发布与创新评选，共同探讨技术路线、前沿技术与工程创新。TMC2026期待与您共同推动动力系统技术深层次创新与落地，助力新能源汽车高质量发展。

电子制造业作为国民经济战略性重点产业，2026年Q1规模以上企业营收4.31万亿元（+14.8%），实现利润总额2,170亿元（+125%）。可见，行业盈利大幅改善的窗口期，而柔性化、智能化、绿色化也从“转型概念”加速迈向“规模落地”。在这一趋势下，Fac Tec China电子工厂设施展，联合同期NEPCON上海电子展与S-Factory Expo