近日，证监会官网显示，瀚博半导体启动上市辅导，辅导机构为中信证券股份有限公司。据上市辅导备案报告，瀚博半导体成立于2018年12月20日，注册资本约为5.43亿元，法定代表人为杨勤富。股权关系方面，钱军（直接持有并通过KJQ LP间接持有）与张磊（通过VASTAI Holding Company 间接持有）以及通过17家员工持股平台合计控制公司42.15%的表决权，二人签署了一致行动协议并分别担任

据媒体报道，7月18日，日本芯片制造商Rapidus宣布正式启动2nm晶圆的测试生产工作，并预计于2027年实现正式量产。在Rapidus位于日本的IIM - 1厂区，已经着手开展采用2nm全环绕栅极架构（GAA）晶体管技术的测试晶圆的原型制作。目前，该厂区针对这一先进制程技术的原型制作正在稳步推进。其在日本IIM-1厂区进行原型制作，早期测试晶圆达预期电气特性。目前Rapidus正测量测试电路多

7月16日在复旦微电子集团成立27周年当天，“自主之芯 协同之道”高端论坛于复旦大学江湾校区举办。论坛期间，复旦大学与复旦微电子集团正式签署战略合作协议，标志着校企双方在科研协同、技术转化、机制共建等关键领域迈入深层次合作新阶段。根据协议安排，双方将围绕“平台共建—科研攻关—人才协同”三大方向，构建系统化合作框架，依托复旦大学

7月16日，专注“硬科技”的早期投资机构——中科创星科技投资有限公司（以下简称“中科创星”）在上海举行“先导创业投资基金首关仪式暨硬科技生态合作发布会”，宣布中科创星先导创业投资基金以26.17亿元完成首轮募集。作为中科创星首次在长三角设立的硬科技创投基金，这一基金70%资金将投向早期硬科技项目，并重点

近日，迈为股份自主研发的全自动晶圆级混合键合设备成功交付国内新客户，这是公司在半导体领域达成的又一重要合作。据悉，迈为股份首台全自动晶圆级混合键合设备，以亚微米级精度、长期稳定运行及高可靠表现赢得客户首肯。该设备投产后，将帮助客户打造高节拍、低损耗的智能化产线，大幅降低制造成本并缩短产品上市周期，为其在激烈的市场竞争中赢得先机。迈为股份键合工艺装备历经多次迭代，在精度、可靠性与智能化方面持续突破，

近日，上交所网站更新发行上市审核动态，南京沁恒微电子股份有限公司（下称“沁恒微”）科创板IPO审核状态变更为“已问询”。沁恒微科创板IPO于6月30日获上交所受理，保荐机构为华泰联合证券有限责任公司。本次IPO，该公司计划募资9.32亿元。其中，2.6亿元用于USB芯片研发及产业化项目，3亿元用于网络芯片研发及产业化项目，3.67亿元用于全栈MCU芯

7月21日，中科半导体发布氮化镓（GaN）ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过“氮化镓ASIC芯片+GaN功率管”集成的差异设计，是为机器人定制化的快充专用芯片。该芯片包括了1000W、200W、100W、65W四种规格，芯片内置了快充协议，为响应1000W超充场景下即时监测电池状态、通过人工智能算法技术和高

7月19日，印度电子和信息技术部长阿什维尼·维什瑙（Ashwini Vaishnaw）宣布，印度正全力以赴成为全球半导体行业的重要参与者。他透露，印度政府已批准建设六家半导体工厂，预计首款国产半导体芯片将在2025年8月至9月间发布。维什瑙表示，印度已经开始着手半导体芯片的制造，六家工厂的建设正在如火如荼地进行中。他强调，预计到2025年底，印度将推出首款“印度制造&rd

7月20日，晶盛机电下属公司宁夏创盛新材料科技有限公司（简称“宁夏创盛”）年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目开工仪式圆满举行。当前，碳化硅已成为全球功率半导体和光学应用的重要基础材料，晶盛持续创新，实现了从6英寸、8英寸到12英寸的不断突破，并全面布局SiC芯片用的晶体生长、成型和抛光、检测、清洗、外延、离子注入等系列设备。此次开工的项目，是继浙江基地和马来西亚槟城

2025年7月18日，韩国媒体报导，三星电子在10奈米级第六代（1c）DRAM制程方面取得了重大进展，良率已突破50%。这一突破标志着三星在高效能记忆体市场的竞争力有望提升，并计划在下半年开始量产第六代高带宽记忆体（HBM4）。1c DRAM制程的技术节点约为11至12奈米，相较于目前主流的第4代（1a，约14nm）和第5代（1b，约12-13nm）DRAM，1c不仅具备更高的密度，还能有效降低功