近日，上交所网站更新发行上市审核动态，南京沁恒微电子股份有限公司（下称“沁恒微”）科创板IPO审核状态变更为“已问询”。沁恒微科创板IPO于6月30日获上交所受理，保荐机构为华泰联合证券有限责任公司。本次IPO，该公司计划募资9.32亿元。其中，2.6亿元用于USB芯片研发及产业化项目，3亿元用于网络芯片研发及产业化项目，3.67亿元用于全栈MCU芯

7月21日，中科半导体发布氮化镓（GaN）ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过“氮化镓ASIC芯片+GaN功率管”集成的差异设计，是为机器人定制化的快充专用芯片。该芯片包括了1000W、200W、100W、65W四种规格，芯片内置了快充协议，为响应1000W超充场景下即时监测电池状态、通过人工智能算法技术和高

7月19日，印度电子和信息技术部长阿什维尼·维什瑙（Ashwini Vaishnaw）宣布，印度正全力以赴成为全球半导体行业的重要参与者。他透露，印度政府已批准建设六家半导体工厂，预计首款国产半导体芯片将在2025年8月至9月间发布。维什瑙表示，印度已经开始着手半导体芯片的制造，六家工厂的建设正在如火如荼地进行中。他强调，预计到2025年底，印度将推出首款“印度制造&rd

7月20日，晶盛机电下属公司宁夏创盛新材料科技有限公司（简称“宁夏创盛”）年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目开工仪式圆满举行。当前，碳化硅已成为全球功率半导体和光学应用的重要基础材料，晶盛持续创新，实现了从6英寸、8英寸到12英寸的不断突破，并全面布局SiC芯片用的晶体生长、成型和抛光、检测、清洗、外延、离子注入等系列设备。此次开工的项目，是继浙江基地和马来西亚槟城

2025年7月18日，韩国媒体报导，三星电子在10奈米级第六代（1c）DRAM制程方面取得了重大进展，良率已突破50%。这一突破标志着三星在高效能记忆体市场的竞争力有望提升，并计划在下半年开始量产第六代高带宽记忆体（HBM4）。1c DRAM制程的技术节点约为11至12奈米，相较于目前主流的第4代（1a，约14nm）和第5代（1b，约12-13nm）DRAM，1c不仅具备更高的密度，还能有效降低功

7月21日，八亿时空、在浙江上虞电子材料基地举办高端半导体光刻胶树脂产线建成仪式，由八亿时空投建的国内首条百吨级半导体KrF光刻胶树脂高自动化柔性/量产双产线建成，项目达产后预计营收规模超亿元。八亿时空董事长赵雷表示，公司将依据市场情况逐步扩产能，计划未来五年具备年产200—300吨高端光刻胶树脂的生产能力。八亿时空成立于2004年7月，于2020年1月在上海证券交易所科创板挂牌上市，

据“陕西新闻联播”报道，陕西电子芯业时代8英寸高性能特色工艺半导体集成电路生产线项目目前已进入冲刺通线的关键节点，计划9月份开始试生产。该项目建成后将填补陕西8英寸芯片制造领域的空白，加快培育和发展新质生产力。该项目由陕西电子芯业时代科技有限公司投资建设，主要建成一条8英寸高性能高可靠功率器件、功率集成电路生产线，同时厂房基建预先满足未来12英寸生产线可扩展性的要求，项目8

在2025年7月21日，恩智浦半导体（NXP Semiconductors）公布了其2025年第二季度财报，显示出营收同比下滑6%，达到29.26亿美元，略高于分析师预期的29亿美元。尽管环比增长3%，但非依照一般公认会计原则（Non-GAAP）营业利润同比下降13%，为9.35亿美元。毛利率也有所下降，从去年同期的58.6%降至56.5%，但仍高于2025年第一季度的56.1%。每股收益为2.7

近日，江苏芯德半导体科技股份有限公司新一轮融资正式落地，金额近四亿元，本轮融资由市/区两级机构联合领投，元禾璞华、省战新基金、雨山资本跟投。本轮融资金额达近4亿元人民币，将主要用于进一步加速布局SiP（系统级封装），FOWLP（扇出型晶圆级封装），Chiplet-2.5D/3D，异质性封装模组等高端封测技术研发及生产。江苏芯德半导体科技股份有限公司成立于2020年9月，是一家专注半导体封装测试领域

7月22日，苏州珂玛材料科技股份有限公司（证券简称：珂玛科技）发布公告，拟以现金人民币 10,237.02 万元收购苏州铠欣半导体科技有限公司（以下简称“苏州铠欣”）73.00%的股权。本次交易完成后，将直接持有苏州铠欣 73.00%的股权。公告显示，苏州铠欣系一家从事化学气相沉积（CVD）碳化硅涂层和 CVD 碳化硅块体陶瓷 零部件研发、生产和销售的高科技企业，公司依托自