来源：电子发烧友网博通最近推出了3.5D XDSiP的芯片封装平台技术，面向下一代高性能AI、HPC应用的定制XPU和ASIC。3.5D XDSiP的最大亮点，在于可以将超过6000平方毫米的3D堆叠硅晶片和12个HBM模块集成到一个系统级封装中。这是什么概念？目前手机移动端的旗舰处理器骁龙8Elite核心面积是124.1平方毫米；英伟达H200核心面积1526平方毫米；今年英伟达推出的首款Bla

来源：Silicon SemiconductorThingy:91 X为开发人员提供全球认证、多传感器、电池供电的精简原型平台。Nordic Semiconductor 出其最新的物联网原型平台 Nordic Thingy:91 X，适用于 LTE-M、NB-IoT、Wi-Fi SSID 定位、DECT NR+ 和 GNSS 应用。Thingy:91 X 通过其全面的机载功能套件简化了开发人员的物

来源：Silicon Semiconductor使用射频硅中介层技术将高性能 III-V 芯片与硅基晶圆级封装相结合，为经济高效的毫米波通信和传感铺平了道路。在IEEE 国际电子设备会议 (IEDM) 上，imec 展示了在 300 毫米射频硅中介层上 InP 芯片异质集成的突破性成果。芯片集成后，在 140GHz 频率下插入损耗仅为 0.1dB，可忽略不计。此外，组装两级 InP 功率放大器 (

来源：中国电子报12月10日，北京华大九天科技股份有限公司（以下简称“华大九天”）发布关于公司控制权拟发生变更的提示性公告（以下简称“公告”），公示华大九天董事成员调整情况。调整后，中国电子集团将成为华大九天的实际控制人。2024 年12月9日，华大九天召开第二届董事会第十次会议，董事会同意将中国电子集团提名的郑波、张尼、阳元江作为公司非独立董事候选人，中国电子集团提名的陈岚、穆铁虎作为公司独立董

来源：集成电路材料研究日本电气玻璃与VIA Mechanics于11月19日宣布，双方已签署共同开发协议，以加速玻璃及玻璃陶瓷制成的半导体封装用无机芯板的开发。目前的半导体封装中，核心基板主要采用玻璃环氧树脂基板等有机材料基板。然而，针对未来高性能半导体的封装需求，核心基板上的电路和微孔（通孔，via）需要实现更高的微细化和高密度化，同时具备支持高速传输的优良电气特性。这些需求使得有机材料基板难以

作者：应用材料公司 马克斯•麦丹尼尔众所周知，应用材料公司最广为人知的是为全球逻辑芯片和存储芯片的生产提供设备，同时长期以来，我们也利用材料工程专长来解决相邻终端市场的技术挑战。其中最佳示例之一就是我们的显示业务。2024年10月，应用材料公司庆祝显示器制造设备创新30周年！我们在推动关键显示技术变革方面有悠久的传统，并且有能力在下一次重大技术变革中也处于领先地位——即将高端智能手机中先进的OLE

来源：内容编译自zeiss本月初，蔡司确认已成功完成对Beyond Gravity光刻部门收购。据介绍，本次收购的标的是特殊执行器和复杂机电一体化组件的领先供应商。自 2024 年 12 月 1 日起，这家瑞士高科技公司（前身为 RUAG International）在完成反垄断审核后，成为蔡司半导体制造技术 (SMT) 部门的一部分。Coswig 工厂将并入 Carl Zeiss SMT Gmb

最近，美国能源部（DoE）电力办公室（OE）公布了碳化硅半导体封装奖第一阶段的八名（最多十名）获奖者名单，每个（企业、组织或个人）将分到5万美元奖金。这些获奖者将继续进行下一阶段进行角逐。相关阅读：美国制造挑战计划——225万美元悬赏碳化硅半导体封装解决方案这些获奖者分别是：·Board Breakers（北达科他州法戈），通过使用增材制造技术打印3D陶瓷封装来替代传统电力电子模块。·Lincol

来源：集邦化合物半导体12月10日，安森美宣布与Qorvo达成协议，以1.15亿美元（折合人民币约8.33亿元）现金收购其碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术业务，包括其子公司United Silicon Carbide（UnitedSiC）。该交易需满足惯例成交条件，预计将于2025年第一季度完成。此次收购将补充安森美的Elite SiC功率产品组合，使公司能够满足人工智能数据中心电源

来源：TECHPOWERUP2024 IEEE IEDM 会议目前正在美国加州旧金山举行。据分析师Ian Cutress在其社交平台上发布的动态，英伟达在本次学术会议上分享了有关未来 AI 加速器设计的愿景。英伟达认为未来整个 AI 加速器复合体将位于大面积先进封装基板之上，采用垂直供电，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模块设计，3D 垂直堆叠 DRAM 内存，并在模块内直接整合冷板。在英