三星电子在其2025年度可持续发展报告中宣布，已开发出基于LPDDR DRAM的服务器内存模块SOCAMM2。这一新技术的推出标志着三星在内存模块市场的进一步扩展，尤其是在AI服务器内存领域。尽管由于英伟达GB300 "Blackwell Ultra"主板设计的变动，SOCAMM模块尚未进入商业化阶段，但其未来潜力依然被看好，预计将成为Vera Rubin平台的一部分，为Vera CPU提供更灵活、易于维护的非板载内存选择。

SOCAMM内存模块的设计特点包括单条位宽128bit，采用单面四颗粒焊盘和三固定螺丝孔的物理结构，这种紧凑的外形设计使其更适合在服务器中进行批量安装和冷却。三星电子的这一举措不仅展示了其在内存技术上的创新能力，也为其在竞争激烈的市场中争取了先机。

此外，三星电子还在推进其1c纳米DRAM内存工艺的开发，已获得生产准备批准，标志着其向量产转移的准备工作已基本完成。这一新工艺的成功将对三星未来的营收表现产生重要影响，尤其是在高带宽内存（HBM）市场的竞争中。