据台媒报道，三星位于韩国华城的DRAM第17产线（Line 17）正推动制程转换，预计从DDR4转向14/16纳米等先进制程，配合HBM与下一代DRAM量产。三星将以平泽P4厂为主轴，自2025年下半年起进行大规模设备扩充投资，以提升成本竞争力。

此外，韩媒报道称，三星电子在DRAM内存领域率先导入干式光刻胶 (Dry PR) 技术，将应用于到即将正式推出的第6代10纳米级工艺 (1c nm) 中。

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